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單原子層沉積(ALD)由于其沉積參數(shù)的高度可控性(厚度,成分和結(jié)構(gòu))。優(yōu)異的沉積均勻性和致密性,使得其鍍層的阻水率能達(dá)到10-3以上。 真空鍍膜有蒸鍍、濺射(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)。 |
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單原子層沉積(ALD)由于其沉積參數(shù)的高度可控性(厚度,成分和結(jié)構(gòu))。優(yōu)異的沉積均勻性和致密性,使得其鍍層的阻水率能達(dá)到10-3以上。 真空鍍膜有蒸鍍、濺射(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)。 |
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